Los rumores acerca del próximo Galaxy S8 de Samsung se vuelven cada vez más densas, si bien ya se han filtrado diversos detalles del dispositivo, este día ha aparecido más información del nuevo buque insignia del fabricante surcoreano.

A través de un mensaje visto en la popular red social china Weibo, se dice que el Galaxy S8 podría integrar 6 GB de memoria RAM, junto con una arquitectura de 10 nm, este sería un gran aumento adicional en comparación con los 6 GB de RAM que se supone tendría el insignia de Samsung.

Por otra parte, desde hace unos días se ha venido rumoreando que las memorias internas del nuevo dispositivo de la marca deben ser del tipo UFS 2.1, una tecnología más rápida y mucho más confiable con respecto al almacenamiento flash tradicional y la cual es muy probable que esté presente en el Galaxy S8.

Por ahora, no hay más detalles al respecto, aunque esperamos conforme se acerca el inicio del CES 2017 en Las Vegas, las filtraciones pueden aumentar considerablemente. En todo caso los mantendremos informados de cualquier detalles de última hora.

FuenteGSMArena
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